一、总体描述：
该系统由磁控溅射、PECVD、真空获得部分、真空测量部分、气路部分、电源控制部分等组成。可用于制备金属膜、介质膜以及实验室新材料研究领域。
二、主要配置方案：
1、真空获得和测量：采用一台600L/s涡轮分子泵通过两台CF150闸板阀分别对磁控溅射系统和PECVD系统进行主抽，前级泵为30升罗茨泵和8升机械泵。磁控溅射系统通过一个CF35角阀实现旁抽。PECVD系通过一个CF35角阀和节流蝶阀实现旁抽。真空测量：采用数显复合真空计和数显电阻真空计测量，极限真空度：10-5Pa。
2、磁控溅射系统：真空室尺寸Φ内400X350，不锈钢立式结构;上盖电动提升;周围布置泵口、观察窗口、电极法兰等窗口;样品架在真空室上盖上，放置单个样品，最大尺寸Φ20，可电动自转和手动升降，转速10-60转/分可调;加热温度600℃，程序控温;三个靶在下，向上共溅射。其中，两个靶可直流溅射，一个靶可射频溅射。靶尺寸：Φ60，每靶均可手动相对样品移动，移动距离40mm，每靶具有独立挡板;
3、PECVD系统：真空室尺寸Φ内300X300，不锈钢立式结构;周围布置泵口、观察窗口兼活门、电极法兰等窗口;样品架在真空室上盖上，放置单个样品，最大尺寸Φ20，可手动升降;加热温度800℃，程序控温;射频等离子体电极在下，反应气体从下方导入。
4、四路质量流量计控制工作气体和反应气体并配相应的截止阀。磁控溅射系统气路与PECVD系统气路共用。
5、电控系统：
电源：直流溅射电源两台，功率：500W;射频溅射电源(自动调节匹配)一台(磁控靶与射频等离子体电极切换，共用一台)，功率500W;样品控温电源一台(磁控靶与射频等离子体电极切换，共用一台)，;机械泵、真空室烘烤照明、样品自转控制电源一台。分子泵、真空计、总控电源一台。所有电源均安放在一个标准电控机柜中。
6、其它辅件：整套系统安装在一型钢结构的支撑架上，支撑架上方铺盖不锈钢装饰板，围板和支撑架喷塑处理;配备溅射室上盖升降机一台，配备冷却水分水器并有水流报警开关。
